FET FINAL D/POT.P/NXR-710/TKR750V2/TK7102HKV2

Transistor MOSFET de potencia RF diseñado para etapas finales de amplificadores en equipos de radio móvil profesional. Opera en banda VHF con frecuencia central de 175 MHz, entregando 70W de potencia máxima con eficiencia del 60% típica. Su arquitectura de silicio de 30V VDSS permite alta linealidad y estabilidad térmica en condiciones extremas de operación. Compatible con sistemas de 32 canales programables e ideal para reemplazo en repetidores y transceptores de alta potencia en infraestructuras críticas de comunicaciones.

Características Principales

• Alta eficiencia energética: 60% típica en VHF, 55% típica en UHF
• Rango de temperatura de almacenamiento: -40°C a +175°C
• Impedancia 50Ω entrada/salida con tolerancia VSWR 20:1
• Disipación térmica de canal: 150W para operación continua
• Cumplimiento RoHS para despliegue en entornos regulados
• Aplicación en etapas finales de amplificadores de radio móvil VHF/UHF

Especificaciones Técnicas

Aplicaciones

• Etapa de salida de amplificadores de alta potencia
• Equipos de radio móvil en bandas VHF/UHF
• Repetidores profesionales NXR-710, TKR-750V2, TK-7102HKV2